高效選型 · 技術迭代｜束蘊儀器助力大規模儀器設備更新

瀏覽次數：69發布日期：2024-03-27

政策背景

日前，國家印發《推(tui)動(dong)大規(gui)模設備更新和消費品以舊換新行動(dong)方(fang)案》，強調實行大規模設備更新和消費品以舊換新，其中提到“提升教育文旅醫療設備水平。推動符合條件的高校、職業院校（含技工院校）更新(xin)置換先進教學(xue)及科研技術設備，提升教學(xue)科研水平。嚴格落實學科教(jiao)(jiao)學裝備(bei)配置(zhi)標(biao)準，保質保量配置(zhi)并及(ji)時更新教(jiao)(jiao)學儀器設備(bei)"。

在此戰略背景下，束蘊儀(yi)器緊跟國家政策，結合自身發展，高效選型，技術迭代，提供高(gao)級、智能、綠色、安(an)全的(de)科學儀器，助力各大(da)高校及科研(yan)院(yuan)所、企業等(deng)提供全部的(de)儀(yi)器設備(bei)更新(xin)解(jie)決方案(an)。

束蘊儀器選型指南

束蘊儀(yi)器(qi)聚焦在為高(gao)校、科研院所、航空航天、檢驗機(ji)構(gou)、及工業(ye)企業(ye)提供(gong)實(shi)驗室材料檢測解決方案(an)。產品(pin)覆蓋了醫藥(yao)、生(sheng)物、材料、考古(gu)、電子、食品(pin)等(deng)各個行業(ye)。重點圍繞為客戶(hu)(hu)量身打造適(shi)合的(de)(de)綜合解決方案(an)，多方位的(de)(de)技術支持和(he)現場服(fu)務(wu)，優異高(gao)效的(de)(de)客戶(hu)(hu)培訓，快(kuai)速及時(shi)的(de)(de)售(shou)后服(fu)務(wu)。

高分辨三維X射線顯微鏡 XRM 應用方向

油氣地(di)質、材料科學(xue)、制藥及醫(yi)療器械、土(tu)木工程、農林科學(xue)、鋰電新能(neng)源(yuan)、半導體芯片(封裝)/電子(zi)元器件、生(sheng)命(ming)科學(xue)、增材制造（3D打(da)印）、食品(pin)科學(xue)、考(kao)古(gu)、4D原位測試。

多量程納米級三維X射線顯微鏡（Nano CT）

SKYSCAN2214

500nm空間分辨率；
開(kai)管光源，可達到更小的焦點尺寸(cun)，且時刻保(bao)持光管性能處于優異狀態；
科研級CMOS探(tan)測(ce)器(qi)，更先進(jin)的(de)(de)成像技(ji)術、更快的(de)(de)讀取速(su)度、更大的(de)(de)成像視野；
多探測器配置，針對不同(tong)樣品類型、不同(tong)測試要求(qiu)都能給出適合的(de)解決方案；

X射線衍射儀（XRD）應用方向

應用領域：新能源正負極材(cai)料(liao)、電解質等；制藥行(xing)業API晶型(xing)篩選及雜質定量等；半導體單晶和(he)外(wai)延層材(cai)料(liao)的結晶完整性分(fen)析(xi)等；金屬材(cai)料(liao)應力、織構等分(fen)析(xi)；以及所有材(cai)料(liao)物相的定性定量分(fen)析(xi)。

少數載流子測量系統（MDP）應用方向

用于表征材料體(ti)壽(shou)命和(he)(he)表面鈍化(hua)(hua)(hua)質(zhi)量，為(wei)器件設計和(he)(he)工藝(yi)優化(hua)(hua)(hua)提供重要參數(shu)；硅 | 化(hua)(hua)(hua)合物(wu)半導體(ti)| 氧化(hua)(hua)(hua)物(wu) | 寬帶隙材料| 鈣鈦礦(kuang) | 外延層｜碲化(hua)(hua)(hua)鎘 | 磷 | 硫化(hua)(hua)(hua)鋅 | 碳化(hua)(hua)(hua)硅 | 砷化(hua)(hua)(hua)鎵(jia) | 氮化(hua)(hua)(hua)鎵(jia) | 鉻的(de)少子壽(shou)命、光電(dian)導率、電(dian)阻率、溫度相關的(de)缺(que)(que)陷(xian)表征、雜質(zhi)濃度、LBIC光束誘導電(dian), 活化(hua)(hua)(hua)能(neng)和(he)(he)俘(fu)獲(huo)截(jie)面缺(que)(que)陷(xian)發射(she)，界(jie)面缺(que)(que)陷(xian)，深能(neng)級缺(que)(que)陷(xian)（從寬禁帶到窄禁帶提供完善(shan)解決方案）。

熱釋光、光釋光測試儀（TL/OSL）

廣泛應(ying)用于各種(zhong)材料的輻射劑量(liang)測定，應(ying)用于地質學(xue)和(he)考(kao)古學(xue)年代(dai)測定、回顧劑量(liang)學(xue)、法醫(yi)學(xue)和(he)事故(gu)劑量(liang)測定、輻射防護、材料研究(jiu)等(deng)領域。

SPS/RES表面光電壓和電阻率測量系統

SPS系列設(she)備使用(yong)從紫外(wai)到近紅外(wai)連續性的(de)脈沖光(guang)學系(xi)統對材料(liao)能(neng)帶中各種微小的(de)能(neng)級缺陷從時間或能(neng)量(liang)維度進行區(qu)分(fen)，具有優異(yi)的(de)能(neng)量(liang)信(xin)號分(fen)辨率和時間分(fen)辨SPV光(guang)譜；通過捕獲(huo)光(guang)生電(dian)荷(he)分(fen)離、捕獲(huo)、擴散、遷移造成的(de)空間光(guang)電(dian)壓差，對材料(liao)進行質量(liang)品控以(yi)及研究其能(neng)級缺陷等方面的(de)信(xin)息。

應用：

一、金(jin)屬鹵化物鈣鈦礦中的擴(kuo)散(san)長(chang)度

二、寬(kuan)禁帶半導體中體極(ji)化現(xian)象的非接觸檢測

三、金(jin)剛石中的電子躍遷

四、寬禁(jin)帶(dai)金屬鹵(lu)化物鈣(gai)鈦礦中缺(que)陷水平的(de)測(ce)定

五、優化Ga2O3探測器的檢測極(ji)限

六、光(guang)催化材料的研究(BiVO4)

七(qi)、光催化材料的(de)研究(jiu)與監(jian)測(ce)(TiO2)

八(ba)、揭示(shi)光(guang)電(dian)化學(xue)電(dian)池(chi)中掩埋界面的損(sun)耗機制

九、共軛有機聚合(he)物、分子和(he)納米(mi)復合(he)材(cai)料中的電子躍遷