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三維(wei)X射線(xian)顯微(wei)鏡(jing) （XRM）SKYSCAN 2214 CMOS版是Bruker新(xin)推出的一代(dai)全新(xin)納米級三維(wei)X射線(xian)顯微(wei)鏡(jing)（XRM），除了保留上一代(dai)SKYSCAN2214 ＜500nm的真正三維(wei)空間分辨率(lv)和多(duo)探測器配置（不(bu)超過4個）等先進性能外，該設備在X射線(xian)源功率(lv)和探測器類型方面進行了多(duo)方面升級，以確保用(yong)戶能夠獲(huo)得更大的成像視野和更明亮的圖像數(shu)據。

1） 6KW高強度(du)(du)Cu轉靶光源2） 垂直(zhi)q/qATLAS測角儀Ultra compact design3） Eiger2 R 500k二維探測器4） 液氦低(di)溫(wen)(wen)系(xi)統(tong)PheniX cryostat：12K~300K5） 液氮低(di)溫(wen)(wen)系(xi)統(tong)：MTC-LOWTEMP液氮溫(wen)(wen)度(du)(du)到450度(du)(du)6） 環境加熱(re)高溫(wen)(wen)：MTC-FURNACE室溫(wen)(wen)-1100度(du)(du)；X射(she)(she)線(xian)衍射(she)(she)儀高分辨透射(she)(she)及PDF散射(she)(she)系(xi)統(tong)檢測

原(yuan)位(wei)高(gao)低溫(wen)附(fu)件可以在(zai)材(cai)料(liao)合成過(guo)程(cheng)中(zhong)來(lai)觀察材(cai)料(liao)結構(gou)變化，探(tan)索材(cai)料(liao)合成條件；也可以用來(lai)探(tan)測(ce)充(chong)放(fang)電(dian)到某個電(dian)位(wei)下材(cai)料(liao)隨(sui)溫(wen)度變換而產生(sheng)的(de)(de)(de)相應的(de)(de)(de)結構(gou)變化，這對探(tan)討實際電(dian)池安全性產生(sheng)的(de)(de)(de)原(yuan)因之一(yi)，即(ji)材(cai)料(liao)結構(gou)變化引起的(de)(de)(de)安全問題是一(yi)種(zhong)重(zhong)要(yao)的(de)(de)(de)手(shou)段； 科研支撐、變溫(wen)物相分(fen)析、變溫(wen)過(guo)程(cheng)中(zhong)的(de)(de)(de)晶(jing)粒(li)尺寸、晶(jing)型、晶(jing)胞參(can)數及動力學分(fen)析；分(fen)析、電(dian)池充(chong)放(fang)電(dian)物相分(fen)析、原(yuan)位(wei)電(dian)化學反應物相分(fen)析。高(gao)分(fen)辨薄膜 X 射線衍射儀檢測(ce)

原(yuan)(yuan)位(wei)高低溫附件可(ke)以(yi)在材(cai)料(liao)(liao)(liao)合成(cheng)過(guo)程(cheng)中(zhong)來(lai)觀察材(cai)料(liao)(liao)(liao)結(jie)構變(bian)(bian)化，探(tan)索材(cai)料(liao)(liao)(liao)合成(cheng)條(tiao)件；也(ye)可(ke)以(yi)用來(lai)探(tan)測充放電到(dao)某個電位(wei)下材(cai)料(liao)(liao)(liao)隨溫度變(bian)(bian)換而產生(sheng)的(de)(de)相應的(de)(de)結(jie)構變(bian)(bian)化，這對(dui)探(tan)討實際(ji)電池(chi)安全性產生(sheng)的(de)(de)原(yuan)(yuan)因之一，即(ji)材(cai)料(liao)(liao)(liao)結(jie)構變(bian)(bian)化引起的(de)(de)安全問題是一種重要的(de)(de)手段；科(ke)研支撐、變(bian)(bian)溫物(wu)相分(fen)析、變(bian)(bian)溫過(guo)程(cheng)中(zhong)的(de)(de)晶(jing)粒尺寸(cun)、晶(jing)型、晶(jing)胞參數及(ji)動力(li)學(xue)(xue)分(fen)析；電池(chi)充放電物(wu)相分(fen)析、原(yuan)(yuan)位(wei)電化學(xue)(xue)反應物(wu)相分(fen)析。原(yuan)(yuan)位(wei)X射線衍射儀檢測

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