少子壽命測試儀應用分享｜缺陷濃度測定

許多(duo)壽命(ming)測量方法，如QSSPC、μPCD或CDI，以及MDP在極低的(de)注入濃度下都存在異常(chang)高(gao)的(de)測量壽命(ming)。這(zhe)種效應是由于(yu)(yu)樣品中(zhong)的(de)捕獲中(zhong)心造成的(de)。這(zhe)些捕獲中(zhong)心對于(yu)(yu)了(le)解材料中(zhong)載流子的(de)行為非(fei)常(chang)重(zhong)要(yao)，并且也會對太陽(yang)能電池產生影響。因(yin)此，需(xu)要(yao)以高(gao)分辨(bian)率來測量缺陷密度和這(zhe)些缺陷中(zhong)心的(de)活化能。

借助MDPmap和MDPingot，可以通過一次測量(liang)(liang)來測量(liang)(liang)光電(dian)導率(lv)以及少數載(zai)流子壽命，并在寬(kuan)注入范(fan)圍內實現全自動測量(liang)(liang)。巧妙的算法(fa)可以確(que)定樣品(pin)中的缺(que)陷濃度。 

根據注(zhu)入相關壽命(ming)(ming)曲(qu)線，可以(yi)確(que)定低注(zhu)入下(xia)的壽命(ming)(ming)τLLI，并且(qie)光電導(dao)率與修正后的HORNBECK和(he)HAYNES模型相匹配。其中捕獲密度(du)NT和(he)活化能EA是擬合(he)參數。 

在mc-Si和Cz-Si晶(jing)片(pian)上(shang)獲得(de)了一個測量結果(guo)，并且可(ke)以確認(ren)缺(que)陷密(mi)度(du)和位錯密(mi)度(du)之間的相關性。

不同缺陷密度下的光電導率與Gopt的比(bi)較以及測得的光電(dian)導率曲線的擬合(he)

MDPmap可以以高分辨率測量注入相關的光電導率和壽命曲線，從而可以確定缺陷密度和捕獲中心的活化能。這樣就可以研究缺陷的起源及其對太陽能電池效率等的影響。

 

若需了解更多信息，請閱讀：

[1] J. A. Hornbeck and J. R. Haynes, Physical Review 97, 311-321 (1955)

[2] D. Macdonald and A. Cuevas, Applied Physics Letters 74, 1710 - 1712 (1999)

[3] N. Schüler, T. Hahn, K. Dornich, J.R. Niklas, 25th PVSEC Valencia (2010) 343-346