?產(chan)品(pin)介(jie)紹

德國Freiberg Instruments的MDPicts（MDP微波探測光誘導電流瞬態譜儀--少子壽命)，非接觸且無損傷(shang)，用于溫度(du)依賴的少數載流子壽命(ming)測量以及半導體的界面陷阱和體陷阱能級的電性能表征(zheng)。MDpicts（MDP微波探測光誘導電流瞬態譜儀--少子壽命)將在半導體材料(liao)的基礎研究與開發領域取(qu)得廣(guang)泛的應用。

?設備特點

 --靈(ling)敏度：對半導體(ti)材料電學缺(que)陷有非常高(gao)的靈(ling)敏度
 --溫(wen)度范圍：液(ye)氮(77k)至500k。可選:液(ye)氦(4k)或更高溫(wen)度
 --衰減(jian)常(chang)數范圍：20納秒到幾毫秒
 --沾污檢測(ce)：電學陷阱(jing)基本性(xing)能(neng)(neng)確定：激活能(neng)(neng)和陷阱(jing)的俘獲截面，受溫(wen)度和注(zhu)入(ru)  水(shui)平影響的少(shao)子壽命參(can)數等
 --重復(fu)性：> 99.5%，測(ce)量時間：< 60分鐘。液氮消耗：2升(sheng)/次
 --靈活性：從(cong)365 nm 到1480nm，根據不同材料(liao)選擇不同波長激發光源
 --可(ke)訪問性：基于IP的系統(tong)允許來自世界任何(he)地方的遠程操作和技(ji)術(shu)支持

圖1. 與溫度有關的(de)載流子發射瞬態

圖2. 不同缺陷(xian)的評價

從Arrhenius斜率(圖3)可以(yi)確定活(huo)化(hua)能

圖3.Arrhenius曲(qu)線圖

利(li)用(yong)這種新(xin)型MDPpicts設備，可在20~500k范圍(wei)內測量溫度依賴(lai)性的瞬態光電導(dao)。

Si, GaAs, InP, SiC和其他很多半導體材(cai)料已成功采(cai)用了這(zhe)種方法進(jin)行研究(jiu)。  

圖(tu)4. 不同溫度的Cz-Si晶圓片的MD-PICTS圖(tu)譜