?技術(shu)特點

 --能夠測量小(xiao)至(zhi)1mm的晶體到或更大的樣品

 --各種樣品架及輸送夾具，用于線鋸(ju)、拋光(guang)等

 --側晶方向(xiang)標(biao)記(ji)選項

 --SDCOM（小晶體樣品臺式X射線單晶定向儀）無水冷卻

 --精(jing)可達0.01°(視(shi)晶體質(zhi)量而定)

 --確定(ding)單晶的*晶格取向

 --使(shi)用(yong)Omega掃描(miao)方(fang)法的超高速晶體定位測(ce)量

 --氣冷(leng)式X射線管，無需水冷(leng)

 --適(shi)合(he)于(yu)研究和生產質量控制

 --手動操(cao)作(沒有(you)自動化選項(xiang))

晶體(ti)的方向是由反(fan)射位置決定的

?SDCOM可測(ce)材料

 --立(li)方/任意未知方向：Si, Ge, GaAs, GaP, InP 

 --立(li)方/特殊(shu)取向：Ag, Au, Ni, Pt, GaSb, InAs, InSb, AlSb, ZnTe, CdTe, SiC3C, PbS, PbTe, SnTe, MgO, LiF, MgAl2O4, SrTiO3, LaTiO3

 --正方：MgF2, TiO2, SrLaAlO4

 --六方/三角(jiao)：SiC 2H, 4H, 6H, 15R, GaN, ZnO, LiNbO3, SiO2(石英(ying))，Al2O3(藍寶石)，GaPO4, La3Ga5SiO14

 --斜方晶系：Mg2SiO4 NdGaO3

 --另可根據客戶的(de)要(yao)求進一步選料 

適合多種材料

?行(xing)業應用
 

平面方向的標記和測量

 --在(zai)晶(jing)(jing)圓片(pian)的(de)注入和光刻過程中(zhong)，需要平面或凹槽作為(wei)定位標(biao)記。切割過程中(zhong)，晶(jing)(jing)片(pian)必須正確地對準晶(jing)(jing)圓片(pian)上易(yi)于切割的(de)晶(jing)(jing)格面。因此(ci)，檢查平面或缺口的(de)位置至關重要。

 --為了(le)確定平面(mian)或缺口的位(wei)置，就需要(yao)測(ce)量平面(mian)內的部件(jian)。由于Omega掃描法可以在一次測(ce)量中(zhong)確定完整的晶體方(fang)位(wei)，基于此，便可以直接(jie)識別在平面(mian)方(fang)向或檢查方(fang)向的單位(wei)或缺口。

 --SDCOM（小晶體樣品臺式X射線單晶定向儀）通過旋轉轉盤，可以將任何平面方向轉換成用戶的特定位置。在必須定義平面方向的情況下，這可以大大簡化將標記應用到特定平面方向的過程。