Mono- and Multi-crystalline wafer and brick lifetime measurement device

應(ying)用(yong)范圍：用于常(chang)規質量控制、精(jing)密材(cai)料研發的單晶和多晶片及晶錠(ding)的壽命測量

根據SEMI標準(zhun)PV9-1110的非接(jie)觸式和無損成(cheng)像(μPCD / MDP(QSS))、光電導性、電阻率(lv)和p/n檢查。

晶(jing)圓切割(ge)，爐內監控(kong)，材料優(you)化(hua)等。


日常(chang)壽命測量(liang)，質量(liang)控制和(he)檢驗
 
◆產量(liang)：>240塊/天(tian)(tian)或>;720片/天(tian)(tian)
◆測量(liang)速度：對(dui)于156x156x400mm標準(zhun)晶錠，<4分鐘
◆生產改善(shan)：1mm切割(ge)標準(zhun)為(wei)156x156x400mm標準(zhun)晶錠
◆質(zhi)量(liang)控制：用于(yu)過程和材(cai)料(liao)的(de)質(zhi)量(liang)監控，如單(dan)晶硅或(huo)多晶硅
◆污染測(ce)定(ding)：起(qi)源于爐和設備的金屬(Fe)
◆可(ke)靠(kao)性：模塊化和堅固耐用的(de)工業儀器，更(geng)高的(de)可(ke)靠(kao)性和運行時(shi)間> 99%
◆可重復性:> 99.5%
◆電阻率：不(bu)需要經常校準(zhun)

精(jing)密材料研發

鐵濃度(du)測定

陷阱(jing)濃度測(ce)定

硼氧測定

依賴于注(zhu)入的測量(liang)等

特(te)性

*無觸(chu)點無破壞的半導體特性
特殊的“表面之(zhi)下”壽命測量技(ji)術
不可(ke)見缺陷的(de) 靈敏(min)度(du)的(de)可(ke)視化
自動切割標準定義
空間(jian)分辨p/n電導型(xing)變換檢測