少子壽命測試儀µPCD/MDP (MDPpro 850+)

用于(yu)(yu)單晶硅(gui)錠、硅(gui)磚和硅(gui)晶圓(yuan)片(pian)的(de)生產和質量監(jian)控。用于(yu)(yu)HJT、HIT、TOPcon、雙面PERC、PERC+太陽能電池、鈣鈦礦等中的(de)硅(gui)材料。

特點 ：        

◇ 壽命范圍：20 ns至100 ms（樣品電阻率 > 0.3 Ohm cm）   

◇ ; SEMI標準：PV9-1110        

◇  測試速度：線掃(sao)描(miao) < 30 s；完整的面掃(sao)秒 < 5 min        

◇  同時(shi)測量：壽命μPCD/MDP（QSS）和電阻率

◇  自動(dong)幾何形狀識別(bie)： G12、M10晶磚(zhuan)和晶圓片        

應用 :   

◇  壽(shou)命(ming)&nbsp;& 電阻(zu)率面掃描        

◇  晶體生長監(jian)控（即滑(hua)移線(xian)）   ;     

◇  污染監(jian)測

◇  氧條紋(wen)/OSF環       

◇  P 型摻雜硅(gui)的鐵面掃描圖

◇  發射極層(ceng)的方阻      &nbsp; 

◇  更(geng)多…

技術規格 :   

直(zhi)拉硅單晶硅錠中的滑移(yi)線

含有大量缺陷的準(zhun)單晶硅錠的壽命測量

MDP studio -  操作(zuo)和評估軟(ruan)件 ：

用戶(hu)友好且先進(jin)的操作(zuo)軟件具(ju)有：

◇  導入和(he)導出功能(neng)

◇  帶有操作員的用戶結構

◇  所有執行的測量概覽(lan)

◇  樣品參(can)數輸出

◇  單點測(ce)量(liang)(liang)（例如：注(zhu)入(ru)濃度(du)相關的測(ce)量(liang)(liang)）

◇  面掃描

◇  測試配(pei)方

◇  分析功(gong)能包

◇  線(xian)掃描和單點瞬態視圖

配(pei)置選項：

◇  光(guang)斑尺寸變化

◇  電(dian)阻率測量（晶磚和晶圓(yuan)片）

◇  背景(jing)/偏置光(guang)

◇  反射測量（MDP）

◇  LBIC

◇  P型摻雜硅中的鐵圖譜

◇  p/n檢測

◇  條碼讀取器

◇  自動幾(ji)何識別

◇  寬的激光器(qi)波長(chang)范圍

少子壽命(ming)測試(shi)儀µPCD/MDP (MDPpro 850+)  應用 ：        

鐵濃度(du)測定

鐵的濃(nong)度的精確(que)測(ce)定(ding)是(shi)非常重要(yao)的，因為鐵是(shi)硅中(zhong)豐富也是(shi)有(you)害的缺陷之(zhi)一。因此(ci)，有(you)必要(yao)盡可能準確(que)和快速地測(ce)量鐵濃(nong)度，具(ju)有(you)非常高的分辨率且**是(shi)在線(xian)的

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摻雜樣品的(de)光電(dian)導(dao)率測量

B和P的摻雜在微電子工業中有許多應用，但到目前為止，沒有方法可以在不接觸樣品和由于必要的退火步驟而改變其性質的情況下檢查這些摻(chan)雜(za)的(de)均勻性(xing)。迄今為止的困難……

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陷阱(jing)濃度(du)測定

陷阱中心是非常重要的，為了了解材料中載流子的行為，也可以對太陽能電池產生影響。因此，需要以高分辨率測量這些陷阱中心的陷(xian)阱密度和活化能。

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注入相關(guan)測量(liang)

少數載流子壽命強烈依賴于注入(過剩余載流子濃度)。從壽命曲線的形狀和高度可以推斷出摻雜復(fu)合(he)中心和俘獲中心的信息。

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遠程訪問基于IP的系統允許(xu)在(zai)世界任(ren)何地方進行遠程操作和技術支持

多(duo)晶硅(gui)晶圓(yuan)線掃描HJT晶(jing)圓(yuan)的壽命測量