電阻率測試儀（RESmap ）在(zai)對低電(dian)(dian)阻率(lv)晶錠和晶圓進(jin)行非接觸(chu)式測(ce)量方式上擁有(you)非常(chang)重要(yao)的重復(fu)性Si | Ge | 化合物半(ban)導(dao)(dao)體 | 寬帶隙(xi) | 材料 | 金(jin)屬(shu) | 導(dao)(dao)電(dian)(dian) | 氧化物和氮化物[ Ge | Si | SiC | InP | GaAs | GaN | InAs以及更多]
電阻率測試儀（RESmap ）特征 ：
| 電阻率的非接觸式測量和成像 | 高(gao)頻渦(wo)流(liu)傳感(gan)原理與集(ji)成紅外(wai)溫度傳感(gan)器可校正樣品的溫度變化 |
| 信號靈敏度 | 基于線圈(quan)頻率(lv)讀數的(de)高信號靈(ling)敏度(du)，可(ke)(ke)實現(xian)準確可(ke)(ke)靠的(de)電阻率(lv)測(ce)量，并具有高再現(xian)性(xing)和可(ke)(ke)重復性(xing) |
| 測量時間 | 測(ce)量(liang)時間(jian) < 3 s，測(ce)量(liang)之間(jian)時間(jian) < 1 s |
| 測量速度 | 200 mm 晶(jing)圓(yuan)/晶(jing)錠 < 30 s，9個點 |
| 多點測量及測繪顯示 | 不超過9999個(ge)點 |
| 材料外形尺寸 | 平坦或略微(wei)彎(wan)曲(qu)的晶圓、晶錠、錠板、毛坯和薄膜(mo) |
| X-Y位置分辨率 | ≥ 0.1mm |
| 邊緣扣除 | 5 mm |
| 可靠性 | 模塊化、緊湊的臺式儀器設計，可靠性(xing)高，正(zheng)常(chang)運行(xing)時(shi)間 > 99% |
| 電阻率測量的重復性 | ≤ 0.15%，基于使(shi)用ANOVA Gage R&R方法對材(cai)料系統分析（MSA） |
更多技術規格和配置選項:
為自動化(hua)流程做(zuo)準(zhun)備 | 可用于不同的平臺(tai) |
測量方法符合 | SEMI MF673標準 |
數據及數據有效性檢查 | 使用NIST標準 |
校準精度 | ±1% |
集成紅外溫度傳感器 （±0.1°） | 允許(xu)報告(gao)標準溫度下(xia)的電(dian)阻率(lv)，（與樣品的實際溫度不同） |
樣品厚度校準 | 對于(yu)高頻信號穿(chuan)透深度大于(yu)穿(chuan)透深度的(de)樣品 |
電力要求 | 100-250 VAC, 5 A |
尺寸 | 465 ′ 550 ′ 600 mm |
軟件控制 | 配(pei)備Window10或新版本(ben)的標準PC，2個以(yi)太網端口 |
用戶友好且先進的操作軟件：
◇ 電阻(zu)率測量配方；
◇ 導(dao)出/導(dao)入功(gong)能和原(yuan)始數(shu)據訪問；
◇ 多級用戶賬戶管理；
◇ 所有(you)執(zhi)行的測量概(gai)覽；
◇ 繪圖(tu)選項（線、十字、星、完整地圖(tu)、地形、用(yong)戶定義圖(tu)案）；
◇ 分(fen)(fen)析(xi)功能包；統計、方差(cha)分(fen)(fen)析(xi)、溫度校正函數(shu)和數(shu)據(ju)庫(ku)；
◇ 遠(yuan)程(cheng)訪問(wen)；基于(yu)互聯網的系統(tong)允許在世界任何地方進行遠(yuan)程(cheng)操作和技術支(zhi)持；
電渦(wo)流傳感器的測量原(yuan)理
中心處可(ke)實現較大(da)的準確性和精確度
4H-SiC晶圓整個(ge)生長面區(qu)域(yu)的電阻率變化測量
硅晶圓(yuan)電阻率變化測量 — 面掃描、分布和(he)線掃描
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