MDPmap單晶和多晶硅片壽命測量儀

更新時間： 2024-03-04
產品型號： MDPmap-1
簡單描述
MDPmap單晶和多晶硅片壽命測量儀被設計成一個緊湊的臺式非接觸電學表征工具，用于離線生產控制或研發，在穩態或短脈沖激勵（μ-PCD）下，在一個寬的注入范圍內測量參數，如載流子壽命、光導率、電阻率和缺陷信息。自動化的樣品識別和參數設置允許輕松適應各種不同的樣品，包括外延層和經過不同制備階段的晶圓，從原生晶圓到高達95%的金屬化晶圓。

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詳(xiang)細介紹

MDPmap：

單晶(jing)和多(duo)晶(jing)硅片壽命測量設備用于復(fu)雜的材料(liao)研(yan)究和開發。

特點：

◇ 靈(ling)敏度：高的(de)(de)靈(ling)敏度，用于可視化迄今為止不可見的(de)(de)缺(que)陷和調查(cha)外(wai)延層(ceng)的(de)(de)情(qing)況

◇ 測(ce)量速度：6英寸硅片<5min，分辨率(lv)為1mm

◇ 壽命范圍：20ns到幾(ji)十ms

◇ 污染(ran)(ran)測定：源于(yu)坩堝和設備的金屬（鐵）污染(ran)(ran)

◇ 測(ce)量能力：從切(qie)割好的(de)硅片到加工的(de)樣(yang)品(pin)

◇ 靈(ling)活(huo)性：固定的測量(liang)頭可以(yi)與外(wai)部激(ji)光(guang)器連接并觸發

◇ 可(ke)靠性：模塊化和緊湊型臺式儀器，可(ke)靠性更(geng)高，正常運(yun)行時(shi)間>99%

◇ 重復性：> 99%

◇ 電(dian)阻率：電(dian)阻率測(ce)繪，無需頻繁校準

技術規格:

樣品尺寸	直(zhi)徑(jing)達300mm（標(biao)準臺），直(zhi)徑(jing)達450mm（定(ding)制），*小為(wei)5 x 5mm
壽命(ming)測量范圍	20ns至幾十ms以上
電阻率	0.2 - >103Ω·cm，p-型/n-型
樣品材(cai)料	硅片(pian)、外延層、部(bu)分或加工的(de)硅片(pian)、化合物半導體及更多(duo)材料(liao)
可測量的特性	壽命 - μ-PCD/MDP (QSS), 光導(dao)率
激發波長(chang)	選擇從355nm到(dao)1480nm的*多四個不同波長。980nm(默認) ;
尺寸規格	體(ti)積：680 x 380 x 450毫米；重量：約65公(gong)斤
電源(yuan)	100 - 250V, 50/60 Hz, 5 A

MDPmap單晶和多晶硅片壽命測量儀 - 細節：

◇ 用于研發或生產監(jian)控(kong)的(de)靈活測繪工具(ju)

◇ MDPmap被設計成一個緊湊的(de)臺(tai)式(shi)非接(jie)觸電學表征工具(ju)，用于離(li)線生產控制或(huo)研發，在(zai)穩態或(huo)短脈(mo)沖(chong)激勵(li)（μ-PCD）下，在(zai)一個寬(kuan)的(de)注入范圍內測量(liang)參數，如載流子壽(shou)命(ming)、光(guang)導(dao)率(lv)、電阻率(lv)和缺陷信息。自動化的(de)樣(yang)品識別和參數設置允許輕松適應各種不同的(de)樣(yang)品，包括外延層和經過不同制備階段(duan)的(de)晶(jing)圓，從(cong)原生晶(jing)圓到高達95%的(de)金屬化晶(jing)圓。

◇ MDPmap的(de)(de)主要優點是它的(de)(de)高度靈(ling)活性，例如(ru)，它允許集成多達(da)四個(ge)激光(guang)器，用于(yu)測量從較低到(dao)高的(de)(de)注入水平的(de)(de)壽命，或(huo)通過(guo)使用不同(tong)的(de)(de)激光(guang)波長提(ti)取深度信息。包(bao)括(kuo)偏置光(guang)設施，以及μ-PCD或穩態注入條件的(de)(de)選(xuan)項。可(ke)以(yi)用(yong)不(bu)同(tong)的(de)(de)地圖進行客戶定義的(de)(de)計(ji)算，也(ye)可(ke)以(yi)輸出(chu)主要數據進行進一步(bu)評估。對于標準的(de)(de)計(ji)量(liang)任務，預定義的(de)(de)標準只需按下一個(ge)按鈕就能進行常規測量(liang)。

附加選項：

◇ 光斑大小的變(bian)化(hua)

◇ 電阻率(lv)測量（晶(jing)圓）

◇ 方塊電阻

◇ 背景(jing)/偏(pian)光

◇ 反射測量（MDP）

◇ 太陽能電池的LBIC（擴散長度(du)測量）

◇ 偏壓MDP

◇ 參考晶圓

◇ 硅的內部(bu)/外部(bu)鐵制圖

◇ 集成(cheng)加(jia)熱(re)臺

◇ 靈活的激光器配置(zhi)

MDPmap單晶和多晶硅片壽命測量儀 - 測(ce)量案例(li)：


鈍化多晶硅的壽命圖	多晶硅的鐵污染圖
;
單晶硅的硼氧圖	單晶硅的缺陷密度圖

碳化硅外延片（＞10μm）-少數載流子壽命mapping圖（平均壽命τ=0.36μs）

高阻硅片（＞10000Ω·cm）-少數載流子壽命mapping圖

非鈍化硅外延片（20μm）-少數載流子壽命mapping圖

MDPmap 應用：

鐵濃度(du)測定

鐵的(de)(de)(de)濃度的(de)(de)(de)精確測(ce)定是(shi)非常重要的(de)(de)(de)，因為鐵是(shi)硅(gui)中豐富也是(shi)有(you)害(hai)的(de)(de)(de)缺陷之一。因此，有(you)必要盡可能準(zhun)確和快(kuai)速地測(ce)量鐵濃度，具有(you)非常高(gao)的(de)(de)(de)分辨率(lv)且**是(shi)在線的(de)(de)(de)

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