MDPspot W
包(bao)括一個額外的電阻率(lv)測量選項(xiang)。測量硅的電阻率(lv),可用于沒有高(gao)度調節可能性的晶圓(yuan),或晶磚。必須預先定義(yi)這兩(liang)個選項(xiang)中的一個。
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MDPspot少子壽命測試儀特點:
◇ 無接觸無破(po)壞(huai)的電學半導體特(te)性
◇ 包括(kuo)μ-PCD測量選項
◇ 對迄今(jin)為止看不見的缺陷(xian)的可視化(hua)和外延層的研究具(ju)有先進的靈敏(min)度
◇ 集成多達四(si)個激(ji)光器(qi),用于寬的注(zhu)入水平范圍
◇ 獲取單次瞬變的原始數據以及用于特殊評估目的的地圖
技術規格:
單晶(jing)或(huo)(huo)多(duo)晶(jing)片、晶(jing)磚、電池、硅(gui)片、鈍化或(huo)(huo)擴散等不同生產(chan)步驟后的(de)晶(jing)片 | |
樣品尺寸 | 50 x 50 mm2 以上到 12“ 或(huo) 210 x 210 mm2 |
電阻率 | 0.2 - 103Ω·cm |
材料 | 晶片、晶磚、部分或加(jia)全部工的硅片、化合(he)物半導體等(deng) |
測量參數 | 載(zai)流(liu)子(zi)壽命(ming) |
尺寸 | 360 x 360 x 520 mm, 重量: 16 kg |
電力 | 110/220 V, 50/60 Hz, 3 A |
MDPspot少子壽命測試儀優點:
◇ 臺式裝置,用于載流子壽命的(de)單(dan)點(dian)測量,多(duo)晶硅(gui)或單(dan)晶硅(gui)在不(bu)同的(de)制備階(jie)段,從原生材料到器件。
◇ 體積小,成本低,使用方(fang)便。附帶一個基本的軟件,用于在小型PC或筆記本上進(jin)行(xing)結果(guo)可(ke)視(shi)化。
◇ 適用于硅片到磚(zhuan),操(cao)作高度調節方(fang)便(bian)。
細節:
◇ 允許(xu)單晶圓片調查
◇ 不(bu)同的晶圓級(ji)有不(bu)同的配方
◇ 監控物料、工(gong)藝質量和(he)穩(wen)定性(xing)
附加選項:
◇ 光(guang)斑(ban)大小變化
◇ 電阻(zu)率測量(晶片(pian))
◇ 背景/偏置(zhi)光
◇ 反(fan)射測(ce)量(MDP)
◇ 軟件擴展
◇ 額外的激(ji)光器選配
MDPspot 應用:
鐵(tie)濃度(du)測(ce)定
鐵(tie)(tie)的(de)(de)(de)濃度(du)的(de)(de)(de)精確測定是(shi)非(fei)常重要的(de)(de)(de),因(yin)為(wei)鐵(tie)(tie)是(shi)硅中豐富也是(shi)有(you)害的(de)(de)(de)缺陷之一。因(yin)此,有(you)必(bi)要盡可(ke)能準確和快速地測量鐵(tie)(tie)濃度(du),具有(you)非(fei)常高的(de)(de)(de)分辨率(lv)且**是(shi)在線的(de)(de)(de)
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摻雜樣品(pin)的(de)光(guang)電(dian)導率測量
B和P的摻雜在微電子工業中有許多應用,但到目前為止,沒有方法可以在不接觸樣品和由于必要的退火步驟而改變其性質的情況下檢查這些摻雜的均勻(yun)性。迄今為止的困難……
更(geng)多......
陷阱濃度測定
陷阱中心是非常重要的,為了了解材料中載流子的行為,也可以對太陽能電池產生影響。因此,需要以高分辨率測量這些陷阱中心的陷阱密(mi)度和活化能。
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注入相關測(ce)量(liang)
少數載流子壽命強烈依賴于注入(過剩余載流子濃度)。從壽命曲線的形狀和高度可以推斷出摻雜復合中心和俘獲中心(xin)的信息。
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