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MDPspot少子壽命測試儀

  • 更新時間:  2024-03-04
  • 產品型號:  MDPspot-1
  • 簡單描述
  • MDPspot少子壽命測試儀低成本桌面單點測量硅片或晶磚,用于在不同制備階段表征各種不同的硅樣品,無需內置自動化。可選手動操作的z軸厚度高達156毫米的硅磚樣品,高達156毫米硅磚,結果可視化的標準軟件。
詳(xiang)細介紹

MDPspot W

包(bao)括一個額外的電阻率(lv)測量選項(xiang)。測量硅的電阻率(lv),可用于沒有高(gao)度調節可能性的晶圓(yuan),或晶磚。必須預先定義(yi)這兩(liang)個選項(xiang)中的一個。

     

     

           


     

MDPspot少子壽命測試儀特點:        

◇  無接觸無破(po)壞(huai)的電學半導體特(te)性        

◇  包括(kuo)μ-PCD測量選項        

◇  對迄今(jin)為止看不見的缺陷(xian)的可視化(hua)和外延層的研究具(ju)有先進的靈敏(min)度        

◇  集成多達四(si)個激(ji)光器(qi),用于寬的注(zhu)入水平范圍

◇  獲取單次瞬變的原始數據以及用于特殊評估目的的地圖        


技術規格:  

   

單晶(jing)或(huo)(huo)多(duo)晶(jing)片、晶(jing)磚、電池、硅(gui)片、鈍化或(huo)(huo)擴散等不同生產(chan)步驟后的(de)晶(jing)片

樣品尺寸

50 x 50 mm2 以上到 12“ 或(huo) 210 x 210 mm2

電阻率

0.2 - 103Ω·cm

材料

晶片、晶磚、部分或加(jia)全部工的硅片、化合(he)物半導體等(deng)

測量參數

載(zai)流(liu)子(zi)壽命(ming)

尺寸

360 x 360 x 520 mm, 重量: 16 kg

電力

110/220 V, 50/60 Hz, 3 A










       

MDPspot少子壽命測試儀優點:        

◇  臺式裝置,用于載流子壽命的(de)單(dan)點(dian)測量,多(duo)晶硅(gui)或單(dan)晶硅(gui)在不(bu)同的(de)制備階(jie)段,從原生材料到器件        

◇  體積小,成本低,使用方(fang)便。附帶一個基本的軟件,用于在小型PC或筆記本上進(jin)行(xing)結果(guo)可(ke)視(shi)化。        

◇  適用于硅片到磚(zhuan),操(cao)作高度調節方(fang)便(bian)。


細節:        

◇  允許(xu)單晶圓片調查        

◇  不(bu)同的晶圓級(ji)有不(bu)同的配方        

◇  監控物料、工(gong)藝質量和(he)穩(wen)定性(xing)      


附加選項:

◇  光(guang)斑(ban)大小變化

◇  電阻(zu)率測量(晶片(pian))

◇  背景/偏置(zhi)光

◇  反(fan)射測(ce)量(MDP)

◇  軟件擴展

◇  額外的激(ji)光器選配


MDPspot 應用:

鐵(tie)濃度(du)測(ce)定

鐵(tie)(tie)的(de)(de)(de)濃度(du)的(de)(de)(de)精確測定是(shi)非(fei)常重要的(de)(de)(de),因(yin)為(wei)鐵(tie)(tie)是(shi)硅中豐富也是(shi)有(you)害的(de)(de)(de)缺陷之一。因(yin)此,有(you)必(bi)要盡可(ke)能準確和快速地測量鐵(tie)(tie)濃度(du),具有(you)非(fei)常高的(de)(de)(de)分辨率(lv)且**是(shi)在線的(de)(de)(de)

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